技术简介：一种使用抛光组合物对铜基材料表层的机械化学抛光方法，其特征在于所述抛光组合物包括彼此未以硅氧链连接的单个胶体二氧化硅颗粒的一种水悬浮液，其平均粒度在１０－１００ｎｍ之间，且水悬浮液的ｐＨ在１－５之间。一种铜基材料表层的机械化学抛光方法，该材料在半导体电子工业用作构成集成电路互连通道的材料，其特征在于所述抛光组合物包括彼此未以硅氧键连接的单个胶体二氧化硅颗粒的一种水悬浮液，其平均粒度在１０－１００ｎｍ之间，且水悬浮液的ｐＨ在１－５之间。