技术简介：本发明的硅衬底上适于键合技术的金刚石膜的制备工艺，包括前处理－形成等离子体球－调整压力－生长金刚石膜－后处理的过程。将硅片表面在金刚石纳米粉溶液中磨研；之后在Ｈ↓［２］气氛中启动微波形成等离子体球；再按顺序调整ＣＨ↓［４］与Ｈ↓［２］比例、微波功率、气压和温度；最后在低气压下生长金刚石膜；后处理是在硅衬底上加负偏压，保温再缓慢降温。经上述过程制得的金刚石膜大面积均匀、品质好、消除了内应力，完全适合于硅片键合技术要求。一种硅衬底上适于键合技术的金刚石膜的制备工艺，采用微波等离子体化学气相沉积的方法，以ＣＨ↓［４］和Ｈ↓［２］为原料气体，在Ｓｉ衬底上生长金刚石膜，其特征在于，工艺过程分为衬底表面前处理－形成等离子体球－调整压力－生长金刚石膜－后处理； 所说的前处理，是对衬底的表面进行研磨，具体做法是将纳米级金刚石粉溶于乙醇中，将硅衬底表面向上放入溶液中超声振荡１．５小时以上，清洗后放入微波反应室内； 所说的形成等子体球，将微波反应室抽空至１０↑［－２］ｍｂａｒ以下，充入氢气至气压为２０－２５ｍｂａｒ，加热硅衬底至４００－５００℃，开启微波功率至６５０－７５０Ｗ； 所说的调整压力，当硅衬底表面形成等离子体球时，通入ＣＨ↓［４］气体，按顺序调整ＣＨ↓［４］／Ｈ↓［２］为０．３－０．５％；微波功率至１０００－１２００Ｗ，气压至１３～１７ｍｂａｒ，同时保持硅衬底温度７５０±２０℃； 所说的生长金刚石膜，是保持硅衬底温度、ＣＨ↓［４］／Ｈ↓［２］、微波功率不变，气体压力为５～７ｍｂａｒ，金刚石膜将生长于硅衬底上； 所说的后处理，是金刚石膜生长结束，关闭ＣＨ↓［４］气体，将Ｈ↓［２］