技术简介：本发明属纳米引晶法选择性生长金刚石膜的工艺。包括清洗衬底、蒸镀掩膜、涂胶、光刻、去胶、引晶、去掩膜和生长金刚石膜过程。衬底是硅、Ｓｉ↓［３］Ｎ↓［４］或Ｍｏ，其表面蒸镀ＳｉＯ↓［２］或Ｍｏ作掩膜，经光刻形成所需图形。再在纳米金刚石微粉的胶体溶液中引晶。去掩膜后用热灯丝ＣＶＤ方法在有晶种的区域生长金刚石膜。本发明的工艺，选择比高、金刚石膜生长速度快、图形完整、对衬底无损伤、可在多种衬底上实现大面积均匀的选择性生长，适于在微电子领域广泛应用。一种纳米引晶法选择性生长金刚石膜的工艺，包括清洗衬底、涂胶、光刻、去胶和生长金刚石膜的过程，采用热灯丝化学气相沉积方法在硅衬底上生长金刚石膜，其特征在于在清洗衬底后，要经过蒸镀掩膜过程再涂胶；在光刻去胶后要经过引晶过程和去掩膜过程，再生长金刚石膜；所说的衬底包括Ｓｉ↓［３］Ｎ↓［４］衬底或Ｍｏ衬底，在其表面蒸镀一层ＳｉＯ↓［２］膜或Ｍｏ膜作掩膜；所说的引晶是将光刻得到所需图形的衬底在含纳米金刚石微粉的胶体溶液中悬挂纳米金刚石微粉；所说的去掩膜是在引晶后去掉衬底上的ＳｉＯ↓［２］膜或Ｍｏ膜，办法是将衬底正面向下分两次以上分别在纯净的浓氢氟酸溶液或ＨＮＯ↓［３］中浸泡并摇晃。