技术简介：一种高频低损耗微晶玻璃介质材料的制造方法，属于微晶玻璃领域。本发明提供的系统为ＭｇＯ－Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］－ＳｉＯ↓［２］－ＴｉＯ↓［２］－ＣｅＯ↓［２］系统。具体组成范围（重量比）为：ＳｉＯ↓［２］（２８－３５），ＴｉＯ↓［２］（１８－２７），Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］（１８－２５），ＭｇＯ（５－１０），ＣｅＯ↓［２］（１３－１９）。玻璃熔制温度为１４８０－１５００℃，保温３小时，退火温度为７００℃，保温１小时。第一段晶化温度为８６０±１０℃，第二段晶化温度为１１７０－１２４０℃。经上述工艺制得的微晶玻璃，在１ＧＨｚ以上频率，介电常数大于９小于１５，介电损耗在６×１０↑［－４］以下。是一类实用的高频低损耗微晶玻璃介质材料。一种高频低损耗微晶玻璃材料的制造方法，属于添加ＣｅＯ↓［２］的ＳｉＯ↓［２］－ＭｇＯ－Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］－ＴｉＯ↓［２］系统。其特征在于： （１）各组分的重量百分含量是： ＳｉＯ↓［２］ ＭｇＯ Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］ ＴｉＯ↓［２］ ＣｅＯ↓［２］ ２８－３５ ５－１０ １８－２５ １８－２７ １３－１９ （２）玻璃熔制温度温度为１４８０～１５００℃，保温３小时，退火温度为７００℃，保温１小时。 （３）二阶段晶化，第一段晶化温度为８６０±１０℃，第二段晶化温度为１１７０－１２４０℃。保温时间分别为１．５小时和５小时。第二段晶化温度变化影响材料的介电性能。 （４）微晶玻璃依次由金红石相、α－堇青石相以及硅钛铈矿相三种主要晶相构成。 （５）调节ＴｉＯ↓［２］／ＳｉＯ↓［２］的比例，ＴｉＯ↓［２］含量提高，金红石相增加；ＴｉＯ↓［２］／ＳｉＯ↓［２］比例逐渐增加同时ＣｅＯ↓［２］含量也逐步增加，出现硅钛铈矿和α－堇青石。