技术简介：一种为半导体衬底和芯片载体提供密封带的新方案，更准确地说，一种利用多层金属密封向在芯片载体上的芯片提供保护的结构和方法。这种多层金属密封既增长了芯片的气密寿命，又提供了环境保护。在最佳实施便中，多层金属密封带具有三层焊料夹层结构，它有低成本、高可靠性、使模块气密密封的优点。这种焊料夹层结构有一层高熔点的厚的焊料内核，和两层低熔点的薄的焊料层，其中薄的焊料层可以有相同的也可以有不同的熔点。一种在盖子与半导体衬底之间形成气密密封带的工艺过程，其特征在于所述过程包括下面的步骤： （ａ）形成起码一条焊料预制带，其中所述焊料预制带包括固定在起码一个高熔点的焊料核的一侧的起码一层第一焊料层，和固定在所述起码一个高熔点的焊料核的另一侧的起码一层第二焊料层， （ｂ）把所述焊料预制带放置在所述半导体衬底与所述盖子之间形成亚组件，和 （ｃ）把所述亚组件放置在热环境下，使所述第一和所述第二焊料层软熔（ｒｅｆｌｏｗ）而不使所述焊料核层软熔（ｒｅｆｌｏｗ），以便在所述衬底与所述盖子之间形成气密密封带。