技术简介：一种在晶片被研磨之后从半导体晶片表面上清除沾污物的工艺。此工艺包含：使晶片与氧化剂接触，以便对可能存在于晶片表面上的有机沾污物进行氧化。然后将晶片浸入加有声能的含有柠檬酸的水浴中，以便清除可能存在于晶片表面上的金属沾污物。在浸入柠檬酸浴液中之后，使晶片与氢氟酸接触，以便清除可能存在于晶片表面上的二氧化硅层。然后将晶片浸入加有声能的含有碱性组分和表面活化剂的水浴中。1．一种在半导体晶片被研磨之后从半导体晶片表面上清除沾污物的工艺，此工艺包含： (a)使研磨过的晶片与氧化剂接触，以便对可能存在于晶片表面上的有机沾污物进行氧化； (b)在步骤(a)之后，将晶片浸入加有声能的含有柠檬酸的水浴中，以便清除可能存在于晶片表面上的金属沾污物； (c)在步骤(b)之后，使晶片与氢氟酸接触，以便清除可能存在于晶片表面上的二氧化硅层；以及 (d)在步骤(c)之后，将晶片浸入加有声能的水浴中，此水浴含有碱性组分和表面活化剂。