技术简介：本发明涉及一种用于半导体制造的已知的石英玻璃构件，它具有粗糙的表面，该表面由不规则的隆凸的结构单元组成，并在第一个较高的平面与第二个较低的平面之间延伸，而在第一个平面的许多结构单元主要呈现平的盖面形状，其全部边缘均以呈多角形小平面的大部分是平的侧壁包围，并分布在第一平面与第二平面之间。这种石英玻璃构件特别适合于ＣＶＤ－层的粘结，其使用寿命是比较长的。按照本发明，其平均表面粗糙深度Ｒa为０．１μm－１０μm，结构单元在第一平面上投影大小的平均值为３０μm－１８０μm。1．一种用于制造半导体的石英玻璃构件，它具有粗糙的表面，该表面由不规则的隆凸的结构单元组成，并在第一个较高的平面与第二个较低的平面之间延伸，而在第一个平面上的许多结构单元主要呈现平的盖面形状，其全部边缘均以呈多角形小平面的大部分是平的侧壁包围，并分布在第一平面与第二平面之间，其特征在于，表面的平均粗糙深度Ra为0.1μm-10μm，结构单元(1)在第一平面(2)上的投影大小为30μm-180μm。