技术简介：一种内联式非晶硅太阳能电池的制造方法，先在玻璃衬度上面的透明导电膜ＩＴＯ印抗蚀涂层，再用ＹＡＧ激光刻去沟槽用化学腐蚀法将ＩＴＯ刻成四个矩形，然后用Ｐｌａｓｍａ气相沉积方法沉积Ｐｉｎ非晶硅层，再用激光刻成沟槽，然后真空蒸发涂铝，并覆盖一层涂层，用激光刻成沟槽，最后用磷酸除掉蚀刻的铝电极和抗蚀剂，由此制成内联式非晶硅太阳能电池。一种内联式非晶硅太阳能电池的制造方法，其特征在于，该工艺方法按下列步骤进行： ①、丝网印刷涂覆抗腐蚀涂层 首先用丝网印刷等办法在透明导电膜（２）ＩＴＯ上印上抗腐蚀油墨涂层（８）； ②、激光蚀刻 用ＹＡＧ激光将抗腐蚀涂层（８）刻去三个沟槽（５）（图４），用化学腐蚀法将ＩＴＯ刻成四个矩形（９）； ③、沉积，Ｐｉｎ层，刻槽 用ＳｉＨ４，Ｐｌａｓｍａ气相沉积法沉积ＰＩＮ非晶硅层（３），清洗掉抗蚀剂后，用倍频后的ＴＡＧ激光在非晶硅层（３）上距ＩＴＯ沟槽（５）０．１－０．２ｍｍ处平行地刻４个沟槽（５）； ④、真空涂铝，丝网印覆涂层 最后在上面用真空蒸发的办法全面蒸发上铝，并用丝网印刷等办法覆盖上一层抗腐蚀涂层（７），并用ＹＡＧ激光在抗蚀涂层（７）上距非晶硅层上的沟槽（５）０．１－０．２ｍｍ处平行地刻４个沟槽（６）（图７），沟槽（６）间距Ｂ＝０．４ｍｍ； ⑤、清理 用热磷酸钙将裸露的铝腐蚀掉成分裂的铝电极，最后清除掉抗蚀剂，印上背面保护层字符及可焊电极，即可成为成品。