技术简介：一种高频低损耗微晶玻璃介质材料的制造方法，属于微晶玻璃领域，本发明提供的系统为ＳｉＯ↓［２］－Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］－ＭｇＯ－ＴｉＯ↓［２］系统。具体组成范围（ｗｔ％）为ＳｉＯ↓［２］３６－４７，Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］１８．２８，ＭｇＯ１５．２７，ＴｉＯ↓［２］１５．２０。玻璃熔制温度为１４６０－１５１０℃保温３小时，第一阶段晶化温度为７３０℃±１０℃，第二阶段为１２５０℃±１０℃。所得微晶玻璃介电常数介于７．０～７．５，介电损耗＜２×１０↑［－４］，是一类较理想的高频低损耗微晶玻璃介质材料。一种高频低损耗微晶玻璃材料的制造方法，属于掺杂ＴｉＯ↓［２］的ＭｇＯ－Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］－ＳｉＯ↓［２］系统，其特征在于 （１）各组分的重量百分含量是： ＳｉＯ↓［２］ ３６－４７ Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］ｂ １８－２８ ＭｇＯ１５－２７ ＴｉＯ↓［２］ １５－２０ （２）ＴｉＯ↓［２］含量的提高造成的玻璃析透现象通过改变ＳｉＯ↓［２］含量，采用快速冷却方法，予以避免。 （３）加入１ｗｔ％硝酸铵和１ｗｔ％氧化砷为澄清剂。 （４）熔制温度为１４６０－１５１０℃保温３小时。 （５）二阶段晶化，第一阶段晶化温度为７３０℃±１０℃， 保温１小时；第二阶段晶化温度为１２５０℃±１０℃， 保温５小时。 （６）以国产氧化镁、氢氧化铝、钛白粉及石英砂为主要原料。