技术简介：一个多层太阳能电池结构包括一堆Ｐ型和n型交替的半导体层（１０、１１、１２、１３、１４）。它们排列形成多个整流的光电压结（１５、１６、１７、１８）。低成本电池可以用劣质材料，通过在薄膜中采用高掺杂水平对之优化而加以制造。通常掺杂水平高于１０17原子／cm3，并且层厚度和载流子在厚度方向的扩散长度有关，用埋入触头结构与下置各层接触，这种触头结构包括向下延伸经过所有活性层的沟道，每条沟道壁（３３、３４）根据相应触头连接的层情况掺以n型或Ｐ型杂质，并且沟道用金属接触材料填充或部分填充。1．一种太阳能电池，具有至少三层极性交替材料，在每对交替的层问形成rp-n结，至少三层的最大掺杂浓度在1017原子／cm3以上，并且至少三层的厚度考虑到相应层材料掺杂浓度基本上不大于少子扩散长度。