技术简介：本发明涉及内联式非晶硅太阳能电池的制造方法属半导体器件制造技术，具体地说是一种内联式集成型非晶硅太阳能能电池及制造方法按顺序包括下列步骤：选择玻璃－制造复合透明导电膜－丝印正电极保护膜－腐蚀导电膜－去除保护膜，清洗干燥－沉积非晶硅薄膜－激光刻划非晶硅层－真空镀铝－激光刻铝－印背漆字符－印可焊电极－切割测试包装入库。工艺简单，可实现规模生产，降低成本。一种内联式非晶硅太阳能电池及其制造方法，其特征在于，所述电池的制作方法按顺序包括下列步骤：选择玻璃－－－制造复合透明导电膜－－－－丝印正电极保护膜－－－－腐蚀导电膜－－－－去除保护膜，清洗干燥－－－－－沉积非晶硅薄膜－－－－－激光刻划非晶硅层－－－－真空镀铝－－－激光刻铝－－－－印背漆字符－－－－印可焊电极－－－－切割测试包装入库；ａ）丝印正电极保护膜，是在制作好复合膜的透明导电玻璃上用耐酸浆料印制电池正电极图形；ｂ）干燥后放入酸溶液中将裸露的导电膜腐蚀干净；ｃ）碱溶液将表面的导电膜保护层清除并清洗；ｄ）辉光放电的方法沉积Ｐ、Ｉ、Ｎ三层非晶硅薄膜；ｅ）激光刻蚀非晶硅层形成内联式集成电池的光电转换层；ｆ）真空镀膜设备在非晶硅表面蒸镀背电极；ｇ）激光刻蚀背电极；ｈ）防腐铜浆印制制作可焊电极。