技术简介：本发明涉及制造适于装配到芯片引线框架上的半导体集成电路芯片的方法，包括下列步骤：（ａ）将数均分子量为５０００到５００００和厚度为０．１到５密耳的均匀粘合剂涂层涂敷到硅片表面，该硅片表面已画出微电子电路的细部图；（ｂ）除掉选定部分的粘合剂，以便露出硅片表面上的焊点；（ｃ）切割硅片以便形成各个半导体集成电路芯片；（ｄ）将芯片电连接和粘连到引线框架上；（ｅ）在聚合物密封胶中密封芯片和引线框架。一种制造半导体集成电路芯片的方法，该半导体集成电路芯片适于装配到芯片上引线的引线框架上，包括下列步骤：（ａ）将数均分子量为５０００到５００００，厚度为０．１密耳到５密耳的均匀粘合剂涂层涂敷到硅片表面上，该硅片表面已画出微电子电路的细部图；（ｂ）除掉选定部分的粘合剂，以便露出片子表面上的焊点；（ｃ）切割片子以便形成个别的半导体集成电路芯片；（ｄ）将芯片电连接和粘连到引线框架上；（ｅ）在聚合物密封胶中密封芯片和引线框架。