技术简介：本发明的热阴极辉光PCVD制备金刚石膜的工艺属于一种制膜技术。工艺过程是:将清洗好的基片置于真空罩(室)内的阳极底座上，抽真空后，充入原料气体，在两极间加直流电压产生辉光，并保持阴极的温度在500℃以上。本工艺的阴极材料采用电子脱出功小、熔点高的金属制成，例如:Ta、Mo、W等。这种工艺的工作气压范围宽，辉光稳定，碳氢化合物的浓度较高，从而使金刚石膜的质量好，生长速率高，面积易于扩大，可制备出大面积厚膜，工艺条件也易于控制。热阴极辉光ＰＣＶＤ制备金刚石膜的工艺，是以碳氢化合物、氢气、氧气等为原料，采用辉光等离子体化学气相沉积方法在阳极底座的基片上制备金刚石膜，其工艺过程包括对基片进行化学清洗，置于阳极底座上，对装配好的真空室抽真空；充入原料气体；在阴极与阳极之间加直流电压，同时调节气体的压强，浓度和电压以及阴阳极间的距离等，制备出金刚石膜；本发明的特征在于所说的阴极为热阴极，在制膜过程中使阴极温度控制在５００℃以上；所说的阴极材料采用熔点高、电子脱出功小的金属制作。