技术简介：本发明方法中，将６重量份石墨电极粉沾附在锆英石颗粒表面，锆英石用量为９１重量份，助熔剂为９重量份，不用助熔剂时锆英石为１００重量份，上述原料预配均匀后分次加入炉中，同时分次加入３重量份（不用助熔剂时加入４重量份）石墨电极块（平均尺寸为１０—５０ｍｍ），熔炼温度约为２０００℃，时间１—２小时，然后将熔融液加热到２４３０℃左右，再倾炉吹球。经该方法一次熔炼脱硅，可达到现有技术中二次熔炼脱硅的效果，故能节约还原剂用量、减少能耗。不采用助熔剂时，二氧化锆纯度达９８％，尤可用作陶瓷釉的色料和技术陶瓷。一种以电熔吹球法制造低硅含量、单斜晶型空心球粒状泡沫二氧化锆的方法，其特征在于，——在91重量份粒度在0． 2 mm以下的精选锆英石中，加入0．3－0．7重量份水，调匀后加入9重量份氧化铝助熔剂，再加入6重量份粒度在0．15mm以下的石墨电极粉，将上述混合料在混合机中调混8－15分钟；——将上述步骤中调好的物料分多次投入电弧炉中，同时分多次加入3重量份平均尺寸为10－50mm的石墨电极块；——在116V电压下，以1800A电流起弧，使炉温达到2000℃左右，熔炼1－2h；——继续加温，在炉温达到2430℃时倾炉，并以8－10kg／cm2高压空气流将熔液吹成球粒，并在集球室中收集之。