技术简介：本发明为一种用表面改性石墨作原料的高压金刚石合成方法。主要是以化学气相沉积的方法，在石墨片表面生长适当数量和尺寸的ＣＶＤ金刚石作为晶种，再经组装、合成、化学处理、筛分选形工艺过程，生产大颗粒高压金刚石。由于ＣＶＤ金刚石表面干净、杂质少，而且生长的数量和尺寸可以控制，而适合作晶种。同时使合成高压金刚石的压力降低约０．５ＧＰａ，提高了金刚石的转化率和粗粒度。一种用表面改性石墨作原料的高压金刚石合成方法，是以石墨片和合金触媒为原料，经过组装、高温高压合成、化学处理和筛分选形的工艺过程，得到粗粒度高压金刚石，本发明的特征在于，所述的石墨片表面生长有用化学气相沉积（ＣＶＤ）方法制备出的ＣＶＤ金刚石晶种；ＣＶＤ金刚石在数量上为１０↑［２］～１０↑［３］／ｃｍ↑［２］，在尺寸上为１～３μｍ；所说的组装是将生长有ＣＶＤ金刚石的石墨片和合金触媒片分层相间地装入叶腊石块。