技术简介：本发明公开了一种可用于集成电路制作的铜层蚀刻的蚀刻方法，该方法使用了卤化物与铜反应，最好使用高强的紫外光的光激能和光定向辅助，以生成或具挥发性的、或易用溶液清洗的产物。本方法为各向异性的。一种在密闭的小室内对基片上的铜层作各向导性蚀刻，以形成具图案的导体的蚀刻方法，它包括以下步骤： 对所说的铜层的不企图被蚀刻的区域作屏框掩蔽； 在密闭小室中引进卤素游离基团至所说的铜层上，以在所说的卤素游离基团被高强光照射后，形成一铜卤化物的反应产物。