技术简介：一种连续碳化硅纤维的制备方法及其装置，其主要特征是通过射频加热方式在超细钨丝上沉积SiC，再在SiC施以碳涂层；另外，本发明还对已有的射频加热装置进行了改进，其改进之处是在管状反应器的一端设置了通入口7，7′，在管状反应器中心与末端之间设置了尾气出口8。一种连续碳化硅纤维的制备方法，它由基体上沉积ＳｉＣ，再在ＳｉＣ纤维外表面施以碳涂层等步骤组成，其特征在于：（１）基体为超细钨丝； （２）将钨丝通过射频加热到１２００－１４５０℃； （３）沉积ＳｉＣ的反应气体原料为ＣＨ↓［３］ＳｉＣｌ↓［３］和ＣＨ↓［３］ＳｉＨＣｌ↓［２］，载流气体为高纯氢气，沉积ＳｉＣ的温度为１２２０－１３５０℃。 （４）ＳｉＣ纤维外表面碳涂层的Ｃ↓［２］Ｈ↓［２］流量为０．４－０．５ｌ／ｍｉｎ，稀释用Ｈ↓［２］流量为０．２５－０．４ｌ／ｍｉｎ，涂层温度为１３５０－１４５０℃。