技术简介：钨酸锌单晶体的掺锗去色工艺属于钨酸盐系列晶体制造领域。$这种工艺一般以Ｓｂ2O3或Bi2O3或银作掺杂去色剂,其共同缺点是无法拉制出大尺寸的无色晶体。本发明的特征是以GeO2为掺杂材料,当ZnO∶#O&WO3∶GeO2的重量比在1∶1-X∶X,X在0.05%～0.1%之间,提拉速度在1～3mm/h,旋转速率在20～30转/分,生长结束后的降温速率为150～200℃/h之间时,可得到无色的大尺寸ZnWo4晶体,发光性能略优于ZnWo4,能量分辩率可达12.9%左右。钨酸锌单晶体的掺锗去色工艺属于钨酸盐系列晶体制作领域，一般的去色工艺是以Ｓｂ↓［２］Ｏ↓［３］、或Ｂｉ↓［２］Ｏ↓［３］或银作掺杂去色剂的，在去色时，先要把ＺｎＯ、Ｗｏ↓［３］和掺杂材料研成粉末混匀后装入坩锅内，放入直拉式单晶炉中，以ＺｎＷｏ↓［４］晶体为籽晶，加温到１２３０℃左右以生长出无色钨酸锌晶体，其ＺｎＷｏ↓［４］的总重量与掺杂材料的重量比、提拉速速度、旋转速率等参数是因掺杂材料而异的，本发明的特征在于，它以ＧｅＯ↓［２］为掺杂材料，ＺｎＯ∶ＷＯ↓［３］∶ＧｅＯ↓［２］之重量比为１∶１－Ｘ∶Ｘ，Ｘ在０．０５％～０．１％之间，籽晶温度为１２１０～１２３０℃，提拉速度为１～３ｍｍ／ｈ，旋转速率为２０～３０转／分，它们随掺杂量减少而递增，生长结束后的降温速率在１５０～２００℃／ｈ之间。