技术简介：硅器件化学镀镍与化学腐蚀工艺，本发明属硅器件生产中在硅片表面实现无黑胶掩蔽选择性化学镀镍与化学腐蚀技术。采用本发明的工艺，可一步实现太阳电池正面栅电池和背电池的制造，用在硅器件的选择性镀镍与腐蚀工艺也可取代繁复而又有害的黑胶掩蔽工艺。一种硅器件化学镀镍与化学腐蚀工艺，本发明的特征是以光刻胶直接作为硅片表面掩蔽涂层，带胶化学镀镍形成所需的接触电极，采用涂敷光刻胶再复以胶带纸的方法实现硅片掩蔽化学腐蚀，取代黑胶（Ｂｌａｃｋ—Ｗａｘ）掩蔽工艺。