技术简介：使用两步方法蚀刻高立方结构的铝电介电容器阳极箔,通过在一含有3%盐酸和1氯化铝形式的铝的电解液中,在高电流密度的直流电作用下,于温度75°C处理该箔,第二步中在一类似的电解液中,用低得多的电流密度和在温度80°C-82.5°C下处理的蚀刻的箔.这样蚀刻的箔具有由较高沟道密度产生的高得多的电容以及完全直线道结构.一种蚀刻电介电容器的两步方法，其中这种箔具有大于７０％立方体的高立方织构，该方法包括第一步： 在一含有１．５％和７％盐酸之间和０％至２％以氯化物形式的铝，在直流电作用下，于温度７０℃和８５℃之间处理所说的箔；和在所说的箔浸入所说的盐酸电介流中并具有电流密度在０．２５和０．６０安培／厘米↑〔２〕之间时，使６至２５库仑电荷通过所说的箔；和 在第二步中，在一个由从１．５至７％盐酸和０至２％之间以氯化铝形式的铝组成的电介液中，在电流密度为０．１０至０．１５安／厘米↑〔３〕的直流电作用下，于温度７５℃至９０℃，用４０至５０蚀刻库仑处理由所说的第一电介液中排出的所说的箔。