技术简介：本发明涉及铜铟镓硒或铜铟镓硫太阳能电池吸收层的制备方法，是在钠钙玻璃Mo衬底上，先用真空磁控溅射法制备CuInGa的金属预制层，再在热处理真空室中进行预蒸发后硒化或硫化处理。本发明的特点是真空磁控溅射法采用的靶材为CuIn合金靶和CuGa合金靶，或采用CuInGa合金靶；硒化反应或硫化反应在真空中进行，先将硒源或硫源均匀升温，在金属预制层表面蒸发上一层硒或硫，再通过卤钨灯照射加热金属预制层，发生硒化或硫化反应，最终得到铜铟镓硒或铜铟镓硫太阳能电池吸收层。本发明在硒源或硫源预蒸发完成后不必保持充足的硒或硫气氛，设备简单，能源消耗小，适用于工业化生产。1.一种铜铟镓硒或铜铟镓硫太阳能电池吸收层的制备方法，其特征在于该方法按如下步骤进行： 1)制备金属预制层：在钠钙玻璃Mo衬底上，利用真空磁控溅射法，采用CuIn合金靶和CuGa合金靶同时或先后溅射，制备CuInGa的金属预制层；或采用CuInGa合金靶溅射，制备CuInGa的金属预制层； 2)硒化反应或硫化反应：在真空中将硒源或硫源以20-30℃/min的升温速度均匀升温至180-300℃区间，恒温保持5-10分钟，产生饱和硒蒸气或硫蒸气，在所述的金属预制层表面蒸发上一层硒或硫；再通过卤钨灯照射金属预制层，以150-200℃/min的升温速度均匀升温至400-600℃区间，恒温保持10-30分钟，最终得到铜铟镓硒或铜铟镓硫太阳能电池的吸收层。