技术简介：一种半导体膜具有如下成分：其中Ia族元素和Vb族元素添加到具有包含Ib族元素、IIIb族元素和VIb族元素的黄铜矿结构的化合物半导体中。这允许提供可以有效地控制其载流子密度的半导体膜。本发明的太阳能电池(1)包括：衬底(11)和设置在衬底(11)上作为光吸收层(13)的本发明的半导体膜。通过这种结构，可以提供可有效地控制其载流子密度的光吸收层，由此可提供具有高能转换效率的太阳能电池。1、一种半导体膜，包括如下成分：Ia族元素和Vb族元素添加到具有包含Ib族元素、IIIb族元素和VIb族元素的黄铜矿结构的化合物半导体中。