技术简介：本发明公开了属于太阳能技术范围的一种陶瓷衬底多晶硅薄膜太阳能电池。在陶瓷衬底上沉积隔离层及形成p型多晶硅薄膜，扩散制备p-n结，激光刻槽剥离部分区域的n型硅层，制作的正电极和n型硅层连接、裸露出的反电极和p型多晶硅薄膜连接。以使正电极和反电极都从电池正面引出，解决了陶瓷衬底不导电，反电极无法从背面引出的问题。材料易得，成本低，工艺成熟，性能价格比高。1.一种陶瓷衬底多晶硅薄膜太阳能电池，其特征在于：在陶瓷衬底(1)上沉积隔离层(2)，在隔离层(2)上形成p型多晶硅薄膜(3)，扩散制备p-n结，激光刻槽剥离部分区域的n型硅层(4)，制作的正电极(5)和n型硅层(4)连接、裸露出的反电极(6)和p型多晶硅薄膜(3)连接；正电极(5)和反电极 (6)都从电池正面引出。