技术简介：本发明公开了属于太阳能电池材料制备范围的一种薄膜太阳能电池衬底制备工艺。将Si和SiC粉混合，通过烧结，使硅熔融将SiC粘合成型，制成表面平整致密的薄片，在上面可以沉积高质量的多晶硅薄膜。避免了常规陶瓷衬底需要的高温烧结过程，既利于形成大晶粒高质量的多晶硅薄膜，又可以有效的避免在冷却过程中的开裂问题；进一步的降低薄膜电池的成本，为多晶硅薄膜太阳能电池的产业化打下坚实的基础。1.一种薄膜太阳能电池衬底制备工艺，其特征在于：将Si和SiC粉混合，通过烧结，使硅熔融将SiC粘合成型，制成表面平整致密的薄片，在上面可以沉积高质量的多晶硅薄膜；其具体工艺过程为：将市售的SiC和Si的粉料按1∶1的摩尔比混合，或将C、SiC和Si粉按摩尔比1∶2∶2的比例混合；SiC颗粒尺寸为0.05～0.5μm，以乙醇为介质，采用湿法球磨12小时，混合均匀，在流量12L/min流动的H2气氛中经烘干过筛处理后，干压成型为30mm×20mm×1mm的片状样品，然后在热压烧结炉中，在流量 12L/min的Ar气保护下烧结，温度1040℃，烧成过程中施加25MPa的压力，保温1小时，自然降温，室温取出。