技术简介：本发明涉及菱镁矿矿石煅烧获得氧化镁的方法，具体地说是一种废次菱镁矿矿石生产高纯度氧化镁单晶体的方法。本发明的生产方法是将纯度35～44％的菱镁矿矿石，反射炉烧得轻烧镁，冷却球磨，加水消化后泵入碳化压力罐中加水保持温度并通入CO2气体，搅拌后检查至微酸性停止通气、搅拌，过滤后入储罐中加净化剂净化再细过滤，通过热蒸汽分解，沉淀析出；经过滤去掉水溶液，沉淀，烘干后烧结得轻质氧化镁；再经压球处理、煅烧后的重烧镁形成单晶体原料；破碎原料高温高压烧结得单晶体。本发明给出的方法可以从废次菱镁矿中生产出高纯碳酸镁活性氧化镁、氢氧化镁、高纯重烧镁砂、电熔镁砂和氧化镁单晶体。1.一种废次菱镁矿石生产高纯氧化镁单晶体的方法，其特征在于该生产方法是将纯度35～44％的菱镁矿矿石，破碎粒度为100～300mm，反射炉烧至700～850℃得轻烧镁，冷却球磨过120目筛，加水消化1～4小时后泵入碳化压力罐中加水保持温度20～30℃并通入浓度30～40％的 CO2 气体，搅拌40分钟后检查至微酸性停止通气、搅拌，过滤后入储罐中加净化剂净化再细过滤，通过热蒸汽到80～100℃，分解、沉淀析出；经过滤去掉水溶液，沉淀，烘干后烧结到800～900℃，得轻质氧化镁；再经压球处理至粒度为10～40mm，1200～1450℃煅烧后的重烧镁形成单晶体原料；破碎粒度为1～8mm的原料高温高压烧结28～35小时，然后保温200～300 小时得单晶体原料。（在搜索框中输入关键词，可找到设备、原料厂家联系方式）