技术简介：为了同时保证优异的短路电流和占空因数性能，提供一种薄膜多晶太阳能电池，该电池包括基材；设置在基材上并且由用控制导电类型的杂质重掺杂的硅构成的第一半导体层；设置在第一半导体层上并且由用与第一半导体层同样导电类型的控制导电类型的杂质轻掺杂的多晶硅构成的第二半导体层；和设置在第二半导体层上且用导电类型与第一半导体层和第二半导体层掺杂的杂质相反的控制导电类型的杂质重掺杂的第三半导体层，其中从产生在第一半导体层内的晶核生长的晶粒连续地生长以形成第一和第二半导体层，该晶粒也水平生长以接触相邻的晶粒，且垂直生长与第三半导体层形成接触面。1、一种薄膜多晶太阳能电池，包括基材；设置在基材上并且由用控制导电类型的杂质重掺杂的硅构成的第一半导体层；设置在第一半导体层上并且由用导电类型与第一半导体层相同的控制导电类型的杂质轻掺杂的多晶硅构成的第二半导体层；和设置在第二半导体层上且用导电类型与第一和第二半导体层掺杂的杂质相反的控制导电类型的杂质重掺杂的第三半导体层，其中从产生在第一半导体层内的晶核生长的晶粒连续地生长以形成第一和第二半导体层，该晶粒也水平生长以接触相邻的晶粒，且垂直生长以与第三半导体层形成接触面。