技术简介：一种在铜金属图案表面形成密封层的方法，首先提供已形成有铜金属图案的半导体基底；然后利用原子层化学气相沉积法在铜金属图案的上表面沉积一钽金属层；接着导入氮气与钽金属层的最上面的原子层反应，以形成包含氮化钽的密封层。具有降低铜金属图案之间的阻值电容、提升半导体装置的性能及提升本身与下层的铜金属图案之间的粘合度的功效。1、一种在铜金属图案表面形成密封层的方法，其特征是：它至少包括下列步骤： (1)提供一半导体基底，其已形成有铜金属图案； (2)利用原子层化学气相沉积法，在所述铜金属图案的上表面沉积自我对准金属层； (3)导入氮气与所述金属层的最上面的原子层反应，形成包含金属氮化物的密封层。