技术简介：在通过支撑元件对由基片上的分离层形成的半导体层进行支撑，并通过对支撑元件施加拉力机械破坏分离层，而形成薄膜半导体时，通过真空吸附和／或静电吸附来固定基片，并从除基片边缘之外的区域开始分离薄膜外延层。由此可提供一种能够以较高产量获得具有优异性质薄膜外延层的方法，并且允许重复使用基片，且在制造半导体基材和太阳能电池时不会因为分离力超过基片的粘接力而抬起基片。1.一种制造半导体基材的方法，该方法包括下列步骤；通过支撑元件支撑由基片上的分离层形成的半导体层；固定基片；此后对支撑元件施加拉力，机械破坏分离层以形成薄膜半导体；其中，在施加拉力的步骤中，从除基片边缘之外的区域开始分离。